サムスン、10nm FinFETプロセスのSoCを量産開始--「Galaxy S8」に搭載かサムスンは、10nm FinFETプロセスを使用したSoC（System on a Chip）の量産を開始したと発表した。 同社によると、このプロセスによって製造されたチップは、2017年初頭に発売されるデジタル機器に搭載される予定だという。「Galaxy S8」を指している可能性が高い。 14nmプロセスと比べて、性能は27％高く、消費電力は40％低くなると同社は述べた。面積効率は最大で30％向上するという。 サムスンによると、トリプルパターニングという工程が適用される。切断する前にウエハに回路パターンが形成されるが、精度を高めるためにその工程が3回繰り返される。より小さなチップを設計するために必須の工程だ。 現在の第1世代プロセスは今後さらに改良され、2017年には第2世代プロセスを用いた商用製品がサムスンから販売される見込みだ。 サムスンは、同プロセスを用いた生産のエコシステム拡大を
