日本原子力研究開発機構(JAEA)は7月9日、次世代不揮発メモリの材料として期待される「アモルファスアルミ酸化物」において、不揮発メモリ機能を発現するために必要な微細な構造の特徴を明らかにしたことを発表した。 同成果は、JAEA 物質科学研究センター 強相関材料物性研究グループの久保田正人研究副主幹、物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の加藤誠一主任研究員らの共同研究チームによるもの。詳細は、米国物理学協会が刊行する応用物理学に関する全般を扱う学術誌「Journal of Applied Physics」に掲載された。 今回の研究の概要(出所:JAEA Webサイト) PCなどのメインメモリとして広く活用されているDRAMは揮発性のため、一定時間ごとに記憶を保持するためのリフレッシュ動作が必要であり、電力消費が大きいという問題を抱えている。DRAMの素子を、電源なしでも記