先日,TSV(Si貫通ビア)を使った3次元積層DRAM技術に関し,エルピーダメモリ 取締役 執行役員 CTOの安達隆郎氏の講演を聞く機会がありました(関連記事)。 同社が3次元積層DRAMの開発を本格化させたのは2004年のこと。NEDOの助成を受け,512MビットのDRAMコアを8段積層した4GビットDRAMを,当時のNECエレクトロニクスおよびOKI(沖電気工業)と共同開発しました(関連記事)。安達氏は「開発は必死で進めたが,予想以上に時間がかかってしまった」と当時を振り返っています。 その後,エルピーダメモリは2009年に1GビットDRAMコアを8段重ねた8GビットDRAMを開発します(関連記事)。それを8個使った8Gバイト・モジュールも試作しました。TSVの材料を当初の多結晶SiからCuに変更したことでも注目を集めました。「2004年から5年掛かってたどり着いた成果だった」と安達氏