みなさんこんにちは。電通国際情報サービス(ISID) 金融ソリューション事業部の水野です。 これは電通国際情報サービス Advent Calendar 2022の16日目の記事です。 今回は、ISID金融事業部で運用しているスキルマップについてご紹介します。 テックリードとは 実は、ISIDの少なくとも金融事業部にテックリードと言うポジションはありません。 実在するのはチーフアーキテクトと言う職種のみで、各プロジェクトでリードエンジニアやテックリードという仮想的なロールがあるのが実態です。 一時期はフルスタックエンジニアと呼んでいる時期もありましたが、近年このワーディングが好まれない印象なので、大々的に使っていません。 主観ですが、フルスタックエンジニアはインフラ知識／運用系の知識のウェイトが高いエンジニアで、テックリードはソフトウェアアーキテクチャ、Webアプリケーション実装技術寄りのエ
電子が持つ磁石の性質（スピン）を利用した「磁気記録式メモリー（MRAM）」が普及期を迎えている。東北大学の研究を起点に、ソニーグループなどが技術開発を進める。半導体の微細化に限界が近づく中、MRAMは微細化とは異なる手法で従来の50分の1以下の消費電力や高速動作を実現。人工知能（AI）や自動運転への応用も期待される。「技術の『死の谷』を越えた」。東北大の遠藤哲郎教授はMRAMの技術開発の現状を
関連キーワード 管理者 | ストレージ | 技術解説 Webブラウザは大量のメモリを使用する場合がある。メモリの使用量が増えてコンピューティングリソースが逼迫（ひっぱく）すると、業務に悪影響が出かねない。IT管理者は、まずはWebブラウザが大量のメモリを使用する理由を知っておく必要がある。 知っておきたい「Webブラウザがメモリを食い過ぎる理由」 併せて読みたいお薦め記事 RAMの基礎知識を身につけるには いまさら聞けない「マザーボード」「プロセッサ」「RAM」「HDD」とは？ 「DRAM」と「MRAM」の決定的な違いとは？ Webブラウザは、Webページのさまざまな構成要素をキャッシュ（一時保存）するためにメモリを使用する。メモリはストレージと比べて、データ読み書きなどのパフォーマンスが高い傾向がある。Webブラウザはパフォーマンス向上を重視するため、キャッシュの保存先としてメモリを積極
ウクライナ報道で急浮上！「防衛研究所」の専門家としての存在感
湾岸戦争や米同時多発テロ、イラク戦争など歴史的な有事の際には、日本国内でもNHKも民放各局はこぞって特別番組を放送していた。しかし今回のロシアによるウクライナ侵略では地上波放送で特別番組はほとんど見当たらない。NHKが国連緊急特別会合さえ生中継しなかった際には、多くの国民の失望を買った。 そんな中、ツイッターなどのネット空間やネットメディア、インターネット放送番組が存在感を高めており、そこで専門家として脚光を浴び始めたのが防衛研究所の専門家たちだ。 ここ数日のウクライナ情勢の報道で注目されたのが、同研究所地域研究部主任研究官の山添博史氏だ。文春オンラインの取材に応じた山添氏は、ウクライナ側の発表ではあるものの、ロシア側にも4300人の死者が出ている惨状について、「このリアリティと、ロシア国内でプーチンが述べている戦争目的とのギャップがありすぎて、勝てるようにやっているとはとても思えないんで
中堅アナログ半導体メーカーのサンケン電気が、世界最先端と推察される32ビットマイコンの開発を進めている。開発中のマイコンには、現在市販されているマイコンには見られない、複数の特徴がある。すなわち（1）22nm世代というマイコンとしては非常に微細なプロセスで製造、（2）不揮発性メモリーとして、ReRAM（Resistive Random Access Memory：抵抗変化型メモリー）内蔵、（3）サンケン電気が独自設計したRISC-VベースのCPU（Central Processing Unit）コア、（4）DSP（Digital Signal Processor）コアとイベント処理コアも独自設計し、RISC-Vコアと組み合わせて、いわゆるヘテロジニアスコンピューティングを実現、である。 PC向けのマイクロプロセッサー（MPU）の後を追う形でマイコンの製造プロセスも微細化してきたが、40nm
関連キーワード 管理者 | ストレージ | 技術解説 企業の業務に欠かせないWebブラウザ。その使用によってメモリ容量が逼迫（ひっぱく）する場合があるので、業務に悪影響が出ないように注意する必要がある。まず重要なのは、メモリ使用量の測定だ。どうすればいいのか。 コピペですぐに使える 「PowerShell」でメモリ使用量を測定する方法 併せて読みたいお薦め記事 連載：Webブラウザ「メモリ使い過ぎ」防止法 第1回：Webブラウザがメモリを食い過ぎる理由はこれだ RAMの基礎知識を身につけるには いまさら聞けない「マザーボード」「プロセッサ」「RAM」「HDD」とは？ 「DRAM」と「MRAM」の決定的な違いとは？ Webブラウザのメモリ使用量を測定するのは、簡単ではない。Webブラウザの複数のタブはそれぞれ個別のプロセス（プログラム）にひも付いており、プロセスごとにメモリ使用量が異なるから
PCテクノロジートレンド 2020 - プロセス編
新年の幕開けに、パーソナルコンピュータのハードウェア技術の動向を占う「PCテクノロジートレンド」をお届けする。昨年2019年の一大トピックはAMDの躍進であったが、本稿ではまず、その原動力だったといえる半導体プロセスの動向について紹介したい。 ＊＊＊ 皆様、あけましておめでとうございます。本年もよろしくお願いします。 2019年は、ことCPUに関してはAMDの7nm Ryzenで一気に勢力がひっくり返った年である。勿論出荷金額あるいは出荷量ベースで言えばまだIntelがAMDを圧倒しているのは事実ではあるのだが、特にハイエンド製品での勢力は著しく、それもあってIntelは猛烈な値下げ以外の対抗策が無い状況に追い込まれて始めている。2020年もこの状況は続くだろう。 ということでまずはProcessから。 Photo00: 相変わらずキーボードを打っていると「他意はありませんよ」みたいな顔を
NANDフラッシュメモリーを使ったSSD（Solid State Drive）の普及で大容量記憶装置の主役の座から追われつつあるHDD（Hard Disk Drive）の読み出しヘッドの技術が“新大陸”を発見した。医学や医療の分野である。これまで、主に電気、具体的には体表面の電位差を測っていた心電図や脳波計が、この読み出し磁気ヘッドの技術、具体的には「GMR†」や「TMR†」という技術を使う心磁図や脳磁計に置き換わり、心電図などよりはるかに詳細な生体情報を知ることができるようになる見通しが出てきた。これまで約10年間、開発が続けられてきたが、いよいよ実用化が見えてきたのである。2022年６月にはTDKが医療用途向けの「MRセンサー」（同社）を量産する計画だ。 †GMR（Giant MagnetoResistance）＝巨大磁気抵抗（効果）。それぞれ約1nm厚の強磁性層と非強磁性層を交互に積
反強磁性体に歪みを加えることで「0」と「1」を制御――不揮発性メモリの記憶速度が従来の強磁性体の100~1000倍に - fabcross for エンジニア
東京大学を中心とした国際研究チームは、反強磁性体のMn3Snに、一軸性の歪みを加えることで、異常ホール効果の符号が制御可能であることを実証した。「0」と「1」の情報に対応する信号を検出／制御できるという。研究成果は、2022年8月18日付けで『Nature Physics』に掲載された。 コンピュータやスマートフォンに使われている揮発性の半導体メモリでは、電力供給をしないと情報が失われてしまう。そこで、電源オフ状態でも情報が失われない不揮発性メモリの開発が行われており、近年、磁石として知られる強磁性体を用いた磁気抵抗メモリ（MRAM）の実用化が進んでいる。 反強磁性体は、スピンの応答速度が強磁性体の場合に比べて100~1000倍速く、また、磁化が非常に小さいため素子化した際に漏れ磁場の影響を受けないという特性を持っている。そのため、強磁性体を反強磁性体で代替することで、MRAMのさらなる高
IEDM 2022: Did We Just Witness The Death Of SRAM?（WikiChip） TSMC's 3nm Node: No SRAM Scaling Implies More Expensive CPUs and GPUs（Tom's Hardware） 第68回IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) が開催された。 今回もまた興味深い論文が多数明らかにされたが、TSMCの論文の1つが悪いニュースを持ってきた。それは今後のプロセスシュリンクにおいて、ロジックはまだスケーリングが見込まれるものの、SRAMは既にスケーリングが望めないというものだった。 カンファレンスではTSMCはN3世代の基本となるN3Bとその拡張版であるN3Eについて講演した。N3EはN3Bのシュリンクを若干緩めたものである。
Samsung、MRAMベースのインメモリコンピューティングを発表：低消費電力AIチップ実現に向け Samsung Electronicsは2022年1月13日（韓国時間）、磁気抵抗メモリ（MRAM）のイノベーションを発表した。同社は、「単一のメモリネットワーク内でデータストレージとデータコンピューティングの両方を実行できる、世界初のMRAMベースのインメモリコンピューティングを実現した。このMRAMアレイチップは、低消費電力AI（人工知能）チップの実現に向けた次なるステップだ」と主張している。 Samsung Electronicsは2022年1月13日（韓国時間）、磁気抵抗メモリ（MRAM）ベースのインメモリコンピューティングのデモを発表した。同社は、「単一のメモリネットワーク内でデータストレージとデータコンピューティングの両方を実行できる、MRAMベースのインメモリコンピューティング
産業技術総合研究所(産総研)は1月28日、フッ化リチウム(LiF)と酸化マグネシウム(MgO)を組み合わせたトンネル障壁層を用いた新構造の磁気トンネル接合素子(MTJ素子)を開発し、磁気メモリ(MRAM)の記録保持特性の指標となる垂直磁気異方性の改善に成功したと発表した。 同成果は、産総研 新原理コンピューティング研究センター 不揮発メモリチームの野﨑隆行研究チーム長らの研究チームによるもの。詳細は、英科学誌「Nature」系の材料科学全般を扱うオープンアクセスジャーナル「NPG Asia Materials」に掲載された。 IoT社会ではさまざまな場所にセンサが設置され、そこから得たデータをAIを活用して解析することとなるが、センサやデータセンターの数が増えれば、トータルのエネルギー消費量は増加することとなり、環境保護などの観点からも低消費電力化のさらなる進展が求められている。そうした技
研究グループによれば、TlBiSe2の表面上に局在していたディラック電子が、Pbとの接合でPb側に移動したことを示しているという。さらに試料をPb薄膜の超伝導転移温度（～6K）以下に冷却して、エネルギー状態を精密に測定したところ、ディラック電子が超伝導になったことを示す「超伝導ギャップ」を観測することができた。 これまで一般的に行われてきた「超伝導近接効果」を用いる方法では、マヨラナ粒子が物質内部の界面付近に埋もれてしまうため、走査トンネル分光などによる測定でも、マヨラナ粒子を検出することは極めて難しかったという。 今回の成果によって、接合した超伝導体そのものをトポロジカル超伝導体に変換するという新しい方向性を示した。この手法は汎用性も高く、さまざまな超伝導体とトポロジカル絶縁体の組み合わせにも適用できるとみている。 関連記事 東北大学、SOT-MRAMセルの動作実証に成功 東北大学は、4
産業技術総合研究所(産総研)は7月21日、原子層レベルで制御されたタンタルを用いることで、「電圧駆動磁気抵抗メモリ」の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発したと発表した。 同成果は、産総研 新原理コンピューティング研究センター 不揮発メモリチームの山本竜也研究員、同・野﨑隆行研究チーム長らの研究チームによるもの。詳細は、無機材料を扱う学術誌「Acta Materialia」にオンライン掲載される。 次世代不揮発メモリとして期待されるMRAMは、膜厚が数nmの磁石/絶縁層/磁石からなる構造の「磁気トンネル接合(MTJ)素子」からなる記憶素子への情報書き込みに電圧駆動MRAMを使用すれば、現在主流のSTT-MRAMと比べてさらに数桁駆動電力を下げることが可能となると考えられており、その実用化に向けて、磁気安定性および制御効率のさらなる改善が進められている。 産総研でも長年にわたって研究開発が
中堅アナログ半導体メーカーのサンケン電気が、世界最先端と推察される32ビットマイコンの開発を進めている。開発中のマイコンには、現在市販されているマイコンには見られない、複数の特徴がある。すなわち（1）22nm世代というマイコンとしては非常に微細なプロセスで製造、（2）不揮発性メモリーとして、ReRAM（Resistive Random Access Memory：抵抗変化型メモリー）内蔵、（3）サンケン電気が独自設計したRISC-VベースのCPU（Central Processing Unit）コア、（4）DSP（Digital Signal Processor）コアとイベント処理コアも独自設計し、RISC-Vコアと組み合わせて、いわゆるヘテロジニアスコンピューティングを実現、である。 PC向けのマイクロプロセッサー（MPU）の後を追う形でマイコンの製造プロセスも微細化してきたが、40nm
はじめに 前回の記事で、SSDの製品仕様に記載されているTBWについて、その定義と、記載内容の意味を説明しました。 それを踏まえて、この記事では、「じゃあTBWって何なんだ？」「TBWは万能な数値なのか？」「TBWは何に使うべきものなんだ？」という問いに対する、私なりの答えを書きます。 ※注1：記事中で単に"TBW"と記載した場合は、「あるワークロードを用いて算出されたTBW」というワークロードを特定しない形での言及です。「TBWがワークロードに依存しない」という意味ではありません。 サマリ TBWとは、「SSDが搭載するNANDフラッシュメモリに書き込み可能なデータサイズ（＝寿命）のうち、あるワークロードにおいて、Garbage Collectionやウェアレベリングなどの処理による書き込みを除く、ホストからWriteコマンドで転送されたデータの一次書き込みで消費できる寿命（サイズ）」の
関連キーワード DRAM | SSD | フラッシュメモリ | SCM 「ストレージクラスメモリ」は不揮発性で永続的にデータを保持でき、コンピュータのメインメモリに利用される「DRAM」（Dynamic Random Access Memory）に匹敵するデータ読み書き速度を実現したメモリだ。メインメモリとストレージの双方に使えるストレージクラスメモリは、前編「『ストレージクラスメモリ』とは？ 重要技術の『ReRAM』から理解する」で紹介した「抵抗変化型メモリ」（ReRAM：Resistive Random Access Memory）だけでなく、幾つかの種類の技術や製品が開発されている。 併せて読みたいお薦め記事 いまさら聞けないメモリの基礎知識 いまさら聞けない「フラッシュメモリ」と「DRAM／SRAM」の違いは？ 期待のストレージクラスメモリ、Z-NAND、3D XPoint、MRA
地図にない場所をAIで補完、災害対策に生かす
Intelは、衛星画像から地理的特徴を認識して最新の高精度地図を作成することが可能な、AIモデルを開発した。同社は、赤十字との密接な協業によって「Missing Mapsプロジェクト」を進めており、発展途上国地域向けに地図を作成して、災害に対する準備活動の推進を目指している。 緊急時の活動を阻害する、“地図に存在しない場所” Intelは、衛星画像から地理的特徴を認識して最新の高精度地図を作成することが可能な、AIモデルを開発した。同社は、赤十字との密接な協業によって「Missing Mapsプロジェクト」を進めており、発展途上国地域向けに地図を作成して、災害に対する準備活動の推進を目指している。発展途上国には、最新の地図が存在しない地域が数多く存在するため、自然災害や伝染病などが発生した場合に、援助団体が効率的に活動することができない恐れがある。 Missing Mapsプロジェクトの共
次世代メモリのPCM、「Optane」以外の動向は？：コスト競争力をどう実現するのか（1/2 ページ） PCM（相変化メモリ）は2019年の初めに、注目すべき3つの新しいメモリ技術の一つとして取り上げられた。その主な理由は、Intelが「3D XPoint」メモリ（PCMであることが明らかになっている）を「Optane」ブランドで本格的に展開し始めたからだろう。では、3D XPoint以外のPCMについてはどうだろうか。 PCM（相変化メモリ）は2019年の初めに、注目すべき3つの新しいメモリ技術の一つとして取り上げられた。その主な理由は、Intelが「3D XPoint」メモリ（PCMであることが明らかになっている＊））を「Optane」ブランドで本格的に展開し始めたからだろう。では、3D XPoint以外のPCMについてはどうだろうか。 ＊）3D XPointがPCMであると公式に発表
東北大学は6月1日、3つの新技術を取り入れた新設計の「4重界面磁気トンネル接合素子」(Quad-MTJ)を開発し、18nmの接合直径において、保持特性と高速での書き換え耐性を実証することに成功したと発表した。 同成果は、東北大 国際集積エレクトロニクス研究開発センターの遠藤哲郎教授(同センター長兼任)らの研究チームによるもの。詳細は、6月13日から19日までオンライン開催される国際会議「2021 Symposia on VLSI Technology and Circuits」で発表される予定だ。 IoT時代の本格化に伴い、生み出されるデータの量は爆発的に増加することが見込まれており、その処理のために多くのプロセッサやメモリが用いられると見られている。しかし、単に数を増やせばよいわけではなく、環境負荷の低減などの観点から、それらの半導体の低消費電力化が求められることとなっている。メモリとし
Samsung Electronicsは、MRAMベースのインメモリコンピューティングに関する論文が「Nature」に掲載されたことを発表した。 論文タイトルは「A crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing(インメモリコンピューティング用の磁気抵抗メモリデバイスのクロスバーアレイ)」で、次世代の人工知能(AI)チップ用にメモリとシステムLSIを統合する取り組みが紹介されている。 この研究は、Samsungの中央研究所にあたるSamsung Advanced Institute of Technology(SAIT)が、Samsung Electronicsのファウンドリ事業部門Samsung FoundryおよびSamsung半導体部門の研究所であるSemiconductor R＆D
TSMC、IEDMにて5nm CMOSプロセスの詳細を発表予定 - Late News Paperが公開 TSMCは、2019年12月に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催される半導体デバイスに関する国際会議「IEDM(2019 IEDM)」にて、モバイルデバイスと高性能コンピューティング(HPC)向けに最適化された最先端となる5nm CMOSプロセスプラットフォームに関する講演を行うことが、IEDMが公開した「Late News Paper」から明らかになった。 TSMCの5nmプロセスは、従来の7nmプロセスに比べて、ロジック回路密度がほぼ2倍(正確には1.84倍)、速度が15%向上(消費電力が同じ場合)、そして消費電力が30%削減(速度が同じ場合)という性能を発揮するという。 TSMCの5nmプロセスによる速度向上および消費電力の削減 (出所:IEDM Webサイト) すでに同社
電子スピンの集団、つまり磁化の向きで情報を記録するMRAMがいよいよ実用化時期を迎えている。混載用フラッシュメモリー（eFlash）や揮発性のSRAM、DRAMの代替が当初のターゲットだ。最大のインパクトは、1/100から1/1000という異次元の消費電力低減効果。今後のコンピューター、特にIoT端末やAIチップに破壊的変化を起こしそうだ。 次世代不揮発性メモリー技術のMRAM（MagnetoResistive RAM、磁気抵抗効果型メモリー）がいよいよ本格的な実用化時期を迎えつつある。その影響は大きく今後のコンピューター技術を大きく変えていく転換点になりそうだ。 熱対策が技術革新に MRAMが変えるのはメモリー技術というよりもむしろコンピューター自体である。コンピューターの歴史ではこれまで計3回、マイクロプロセッサーなどからの熱発生量がシステム許容量の限界に近づいた後、ブレークスルーをも
韓国政府、「K-半導体戦略」の実施に向けた10年計画を発表
韓国政府通商産業資源部(日本の経済産業省に相当する中央官庁)は、2021年5月13日に文大統領が宣言した総合半導体強国をめざす「K-半導体戦略」のフォローアップとして、政府が各省庁の垣根を越えて主導する5大テーマに関する具体的な半導体強化実行計画を発表した。 これ以外のテーマ(半導体メモリおよびファウンドリ工場や研究開発への巨額投資など)は、Samsung Electronicsをはじめとする韓国の半導体企業が自主的に実行することになっている。また、大学学部レベルのシステム半導体教育充実や契約学科制度(入学時に就職先を保証し学費などの援助を行い、企業が人材をいわば青田買いする制度)などすでに実施されている項目は含まれていない。 政府支援の10年計画5大テーマとは、以下の通り。 センサ技術開発とセンサプラットフォーム構築(2022～2028年) PIM(Processing-In-Memor
新たな局面を迎えつつある新興メモリ
新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ（PCM）は現れていない。【訂正あり】 新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ（PCM）は現れていない。 Intelは、PCMベースの「3D XPoint」メモリ「Optane」の製造を停止することを発表した。Coughlin AssociatesのThomas Coughlin氏とObjective AnalysisのJim Handy氏は、「Emerging Memories Enter Next Phase（新興メモリが新たな局面を迎える）」と題する年次レポートを完成させたタイミングでその発表を聞いたため、土壇場でレポートを修正することになった。 Handy氏は、米国EE Timesのイン
DDR3L／DDR4メモリインタフェースもサポート ルネサス エレクトロニクスは2022年8月、最大動作周波数が1GHzの64ビットマイクロプロセッサ（MPU）「RZ／A3UL」を開発、量産を始めた。RTOSベースのMPUで起動が速く、データ転送性能に優れたメモリインタフェースを搭載したことで、より高度なHMI（Human Machine Interface）を実現することができるという。 RZ／A3ULは、Arm Cortex-A55コアをベースとしたMPU。LCDコントローラや、Octal-SPIメモリインタフェースあるいはDDR3L／DDR4メモリインタフェースなどの機能も集積した。DDR3L／DDR4メモリインタフェースは、Octal-SPIメモリインタフェースに比べ約10倍のデータ転送性能がある。高速DRAMを外付けすることで、HD（1280×720画素）クラスのディスプレイ表示
10月4日に開催された「インテル デベロッパー・カンファレンス/ソリューション・デイ 2019」においてIntelは、3D Xpointメモリと3D NANDメモリを前面に押し出した発表を行った。 データセンタのサーバの場合、データの記憶階層は、CPU内部のキャッシュ、DRAMメモリで、その次はHDDというのが伝統的な構造である。 DRAMメモリのアクセスタイムは容量にもよるが数百ns程度である。これに対して、HDDのアクセスタイムは10ms～100msといったところで、DRAMと比較すると5桁くらい遅いことになる。PCでWebブラウザを動かしているような使い方の場合は、DRAMのメインメモリに格納されたデータをアクセスするだけで済むので、HDDがアクセスされることはほとんど起こらず、HDDが5桁遅いことはほとんど問題にならない。 しかし、データセンタのような用途や大規模なデータベースを処
これを見れば半導体が何かがわかります。 サイエンスＺＥＲＯ 磁力が未来を引き寄せる！磁気技術が支えるデジタル社会 6月8日(土) NHK Eテレ 午前11:00〜午前11:30（30分） www.nhk.jp 先日、九州に行ってきたんです。 各地で熊本の台湾セミコンダクタ工場の話を聞きました。景気がいいとか。工場に勤めている台湾人が高級温泉旅館に来るとか。 影響力すごいですよね。 で、以前から気になってたことがあります。 ニュースなどで、 ニュースなどで、熊本工場は回路線幅12～28ナノメートルのチップを製造していると聞いていました。しかし、本国の台湾ではもっと小さい数ナノメートルのチップを作っているため、世代としては数世代遅れているとのこと。これは、まるで今さらiPhone Xを喜んでいるようなものだと言われています。 この説明を聞いた時はちんぷんかんぷんでしたが、この番組を見てすべて理
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2020年10～12月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2020年10～12月）」をお送りする。
筑波大学計算科学研究センターは、新型のスーパーコンピューター「Ｐｅｇａｓｕｓ」（ペガサス）の試験稼働を始めた。同センターの既存のスパコンに比べ、演算性能を約３倍に高めたほか、不揮発性メモリー（ＭＲＡＭ）の導入でメモリーの大容量化を図った。大容量のメモリーを利用したビッグデータ解析や超大規模人工知能（ＡＩ）開発などへの貢献を目指す。２０２３年４月から供用を開始し、５年間の運用を予定する。 製造はＮＥＣが手がけた。１２０の計算ノード（演算処理単位）で構成し、総理論演算性能は演算加速装置（ＧＰＵ）部分で６・１ペタフロップス（ペタは１０００兆、フロップスは浮動小数点演算能力）以上。拡張メモリーとしてＭＲＡＭを導入し、消費電力やコストを抑制しながらメモリーの大容量化を実現した。同センターの朴泰祐センター長は「最先端のパーツを組み合わせ、世界でも先進的なスパコンを開発できた」としている。
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エンジニアのスキルマップ・テックリードへの途 - 電通総研 テックブログ
消費電力50分の1 次世代メモリー「MRAM」普及へ - 日本経済新聞
Webブラウザがメモリを食い過ぎる理由はこれだ
【福田昭のセミコン業界最前線】 Samsung/IBM/TSMC/GFがMRAM開発の最新成果を披露
サンケン電気が驚きの世界最先端マイコン、22nm・ReRAM内蔵・RISC-V
東大、ワイル粒子を用いた不揮発性メモリの動作原理を実証 ～超高速・高集積なMRAMの実用化に向けて前進
Webブラウザのメモリ使用量を「PowerShell」で測定する簡単な方法
【イベントレポート】 Intel、1GBの4次キャッシュ実用化を見込んだMRAM技術
HDDヘッド技術で体内を“透視”、心電図ならぬ「心磁図」実現へ
東北大、読み書きが同時に可能なデュアルポート型SOT-MRAMセルアレイの動作実証に成功
SRAMの代替になる不揮発性SOT-MRAMの実用化で大きく前進
【福田昭のセミコン業界最前線】 「次世代」が外れた最新不揮発性メモリ「MRAM」の製品と技術
【イベントレポート】 Samsungが1Gbitの大容量埋め込みMRAMを開発 ～IEDM 2019 イベントレポート
北森瓦版 - SRAMのスケーリングが鈍化―TSMC N3世代ではもはや縮小は望めず
Samsung、MRAMベースのインメモリコンピューティングを発表
産総研、フッ化物をトンネル障壁に用いた磁気メモリ素子の開発に成功
東北大ら、超伝導体をトポロジカル超伝導体に変換
産総研、タンタル層の挿入で「電圧駆動磁気抵抗メモリ」の磁気安定性を改善
サンケン電気が驚きの世界最先端マイコン、22nm・ReRAM内蔵・RISC-V
SSDの選び方(2/5)：じゃあTBWって何なんだ？ - Qiita
「DRAM」と「MRAM」の決定的な違いとは？
次世代メモリのPCM、「Optane」以外の動向は？
東北大、1桁nm世代のプロセスデザインルールに適合するQuad-MTJを開発
Samsung、MRAMベースのインメモリコンピューティングを発表 - Natureに掲載
TSMC、IEDMにて5nm CMOSプロセスの詳細を発表予定 - Late News Paperが公開
AIブームで進行する第4次“熱危機”、スピン利用で消費電力が1000分の1に
ルネサス、1GHz動作の64ビットMPUを開発
Intelが次世代の成長市場として期待をかける「ストレージクラスメモリ」
これを見れば半導体が何かがわかります。 - 幸せなことだけをして生きていきたい
村田製作所が全固体電池を量産へ／ソニー製STT-MRAMがSSDに
演算性能3倍、筑波大が試験稼働を始めた新型スパコン「ペガサス」の実力 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社