反強磁性体に歪みを加えることで「0」と「1」を制御――不揮発性メモリの記憶速度が従来の強磁性体の100~1000倍に - fabcross for エンジニア

東京大学を中心とした国際研究チームは、反強磁性体のMn3Snに、一軸性の歪みを加えることで、異常ホール効果の符号が制御可能であることを実証した。「0」と「1」の情報に対応する信号を検出／制御できるという。研究成果は、2022年8月18日付けで『Nature Physics』に掲載された。 コンピュータやスマートフォンに使われている揮発性の半導体メモリでは、電力供給をしないと情報が失われてしまう。そこで、電源オフ状態でも情報が失われない不揮発性メモリの開発が行われており、近年、磁石として知られる強磁性体を用いた磁気抵抗メモリ（MRAM）の実用化が進んでいる。 反強磁性体は、スピンの応答速度が強磁性体の場合に比べて100~1000倍速く、また、磁化が非常に小さいため素子化した際に漏れ磁場の影響を受けないという特性を持っている。そのため、強磁性体を反強磁性体で代替することで、MRAMのさらなる高

[tattyu]

最近MagSafeとかノートPCとかタブレットとかで磁石使われまくってるのでこういうメモリ使う時に干渉しないのかなって心配になる。

[agricola]

あっちこっちに「磁化」と書いてるけどそのうち何個かは「磁荷」なんじゃねーのかなー。