「電流を流すだけで積和演算」 TDKの超省電力AI用デバイス
TDKは、スピントロニクス技術を活用するニューロモーフィック素子として「スピンメモリスタ」を開発した。AIで多用される積和演算を、GPUに比べて100分の1の消費電力で実行できるという。フランスCEAと東北大学との協業により、2030年の量産技術の確立を目指す。TDKは、スピンメモリスタのデモを「CEATEC 2024」で公開する予定だ。 TDKは2024年10月2日、スピントロニクス技術を用いたニューロモーフィック素子＊）「スピンメモリスタ」を開発したと発表した。AI（人工知能）で使われれる積和演算を、GPUに比べて100分の1の消費電力で実行できるという。センサーと組み合わせて、センサーからのデータをローカルで処理するエッジAIでの活用が期待される。同年10月15日から開催される「CEATEC 2024」（幕張メッセ）で、スピンメモリスタを用いた音声分離のデモを披露する予定だ。 ＊）ス
温度差の向きと電流の向きを直交可能な新熱電材料を開発
産業技術総合研究所は2024年2月8日、島根大学との共同研究において、温度差の向きと電流の向きを直交可能な、新たな熱電材料を開発したと発表した。 1種類の材料の中で、結晶方位によって電子とホールの移動方向が異なる特性は、ゴニオ極性と呼ばれる。これは材料中を等方的に伝導する電子と、異方的（縦方向のみ）に伝導するホールのバランスにより生じる現象だ。 研究チームは、キャリア密度を制御したMg3Sb2とMg3Bi2の単結晶を作製し、ゼーベック係数の温度変化を計測した。Mg3Sb2はキャリア密度が1018cm－3以下でゴニオ極性を発現し、Mg3Bi2は1019cm－3の高濃度領域でも特性を示すことを確かめた。 また、Mg3Sb2とMg3Bi2は電子フェルミ面が球状であるのに対し、ホールフェルミ面は平らな形状をしている。島根大学が第一原理計算で検証したところ、このフェルミ面の異方性（バンド異方性）が、
「Meteor Lake」Deep Dive その1 - Intel 4 Process Update
アメリカ時間で9月19日より開催されるIntel Innovation 2023に合わせ、IntelはMeteor Lakeの詳細を解禁した。これを一気に記事化するにはちょっと分量が多いので、何パートかに分けてお届けしたい。まずは懸案であるIntel 4 Processに関してである。 Intel Meteor Lake Intel 4 Processの詳細は、2022年6月のVLSI Symposiumで公開されており、ここでHigh Performance Libraryの詳細なジオメトリとかCOAGの詳細、SDB(Single Diffusion Break)の詳細、配線層のDesign Rule、eCuと呼ばれる、銅配線のわりにCoのライナーをつけ、その外側にTaのバリアを形成した新しい配線構造、密度の上がった配線層などIntel 4 Processの特徴に関してはすでに詳細な説明
CPU革命！ 裏面電源供給技術PowerViaのテスト実装に成功 インテル CPUロードマップ (1/3)
6月11日から京都で開催されていた2023 Symposium on VLSI Technology and Circuitにおいて、インテルは基板裏面から電源を供給する配線方式「PowerVia」関連の内容を2つ発表した。 1つはT1-1の“E-Core implementation in Intel 4 with PowerVia(Backside Power) Technology”、もう1つがT6-1の“Intel PowerVia Technology: Backside Power Delivery for High Density and High-Performance Computing”である。どちらも似てはいるのだが、後者がPowerVia全体の発表で、前者はこれをIntel 4プロセスに移植した上で、E-coreに実装してみた結果を示したものである。 実はこの件に関
ジャンクション温度の計算（1）―― 温度計算の原理
前回まで説明してきた半導体のワイヤーボンド技術は直接的に設計者が使い方を考慮できるものではなく、半導体メーカーの仕様に関するものです。半導体を選択する時やメーカーからの仕様変更の申し入れ、故障解析レポートの評価時などにおいてメーカーの情報のみで判断せず、一度立ち止まって評価内容について吟味する姿勢を忘れなければ良いかと思います。 今回から、数回にわたり半導体を使う上で考慮しなければならない接合（ジャンクション）部の温度計算の算出法について説明します。この接合部の温度は熱電対や熱画像などで測定できるものではありませんので理論に基づいた計算が一般に用いられます。 過渡温度上昇の影響 本稿では各種部品の構造や使い方について説明してきましたが半導体については使い方を特に説明はしませんでした。しかし半導体は使い方を誤ると破壊、焼損を引き起こしたり、そのレベルまでは至らないとしても部品の故障率に多大な
製品に最適な統合カスタムチップをオンデマンドで安価に作るスタートアップ、zGlue｜fabcross
モデム、CPU、メモリーなどの複数の機能を統合したSoC（System on Chip）は最近のIoT機器に欠かせない。Qualcommの「Snapdragon」シリーズやMediaTekが投入する統合チップは、さまざまなスマートフォンが短期間で開発されるエコシステムの重要な一部だ。SoCそのものを作るのはこれまで大企業に限られた話だったが、そこを大衆化させるビジネスを手がけるベンチャーがzGlueだ。 SoCによりIoT機器の開発速度は上がる CPUやメモリー、WifiやBluetoothといった通信機能を、一つの半導体チップ内にまとめたSoC（System on Chip）は、安価で高性能なICT／IoT機器が続々登場するエコシステムの一部になっている。ICT機器の開発においては、自作PCのようにCPU、メモリー、グラフィックボード、記憶素子、無線機能などにそれぞれ必要な機能を備えたチ
鉛フリーで200℃耐熱、パワー半導体用ハンダ量産へ ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
タムラ製作所は実装後にハンダ周囲の温度が２００度Ｃまで上昇しても接合状態が劣化しないパワー半導体向け鉛フリーハンダ接合材を開発した。炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウムを基板に使い、接続部の温度が高くなる次世代パワー半導体などでの使用を見込む。３月からサンプル提供を始め、２０２３年以降の量産化を目指す。 電気自動車（ＥＶ）や産業用電源向けに需要拡大が期待されるパワー半導体の素子接続部は、使用時に１５０度Ｃ前後の高温になる。ＳｉＣやＧａＮ、酸化ガリウムを使った次世代パワー半導体の場合、接続部の温度は２００度Ｃ前後に高まるとされる。 スズに微量の銀や銅を添加した一般的な鉛フリーハンダでは耐熱性が足りないケースが多い。タムラ製作所が開発した新しい鉛フリーハンダの組成は、スズにアンチモンや銅などを添加し、耐熱性を確保した。 通常の鉛フリーハンダの場合、実装すると接続部材のメッ
ハードウェアの発展を阻害しているのは「マザーボード」だという指摘、マザーボードに代わる次世代技術とは？
By maxxyustas 電気工学などの専門職団体IEEEが運営するハードウェア・エンジニアリングに関するニュースサイトIEEE Spectrumが「さようなら、マザーボード」と題して、「マザーボードのようなプリント基板こそがハードウェアの発展を阻害している」と主張しています。 Goodbye Motherboard Hello Siliconinterconnect Fabric - IEEE Spectrum https://spectrum.ieee.org/computing/hardware/goodbye-motherboard-hello-siliconinterconnect-fabric スマートフォンやノートPCなどのデバイスは可能な限りの「小ささ」が求められています。しかし、問題点は「プリント基板」にあるとのこと。スマートフォンなどの中核部品であるSoCを見ると、そ
「7nmの半導体」に7nmの箇所はどこにもなかった 半導体のプロセスルールとは一体何か？ | JBpress (ジェイビープレス)
（湯之上 隆：技術経営コンサルタント、微細加工研究所所長） 最先端の半導体メーカーはどこか？ 現在、微細化の最先端を競っているのは、PCやサーバー用プロセッサのチャンピオンである米インテル、自社のスマホ「GALAXY」用にプロセッサを製造しているメモリのチャンピオンの韓国サムスン電子、製造専門のファウンドリのチャンピオン、台湾TSMCの3社である。 この3社のどこが微細化で先行しているのだろうか？ 筆者も寄稿している半導体業界誌の「EE Times Japan」の記事をいくつか挙げてみよう。 ・『遅れに遅れて、ようやく出荷：Intelが10nmプロセスの第10世代「Core」プロセッサを発表』（EE Times Japan、2019年8月6日、） ・『TSMCが年間投資額を引き上げ：5nm／7nmチップの需要を後押しするのは「5G」』（EE Times Japan、2019年7月26日、）
これからの時代、少量カスタムで大量種類のチップを設計する方法とは (UCBの論文を読む) - FPGA開発日記
UCB(University of California, Berkeley)の論文を教えてもらい、読んでみることにした(実際には大量にGoogle翻訳した)。 この論文は"Generating the Next Wave of Custom Silicon"という論文である。 著者から分かる通り、RISC-VとChiselの思いっきり関係者である。 Generating the Next Wave of Custom Silicon Borivoje Nikolić, Elad Alon, Krste Asanović, Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, USA https://ieeexplore.ieee.org/xpl/mostRecentIss
iPhoneはヘリウムにさらされると死ぬ - GIGAZINE
iPhoneやApple WatchなどのApple製品が、ヘリウムにさらされると故障し、最悪の場合そのまま文鎮化することが、ある病院の事故から明らかになりました。 iPhones are Allergic to Helium | iFixit https://ifixit.org/blog/11986/iphones-are-allergic-to-helium/ アメリカ・シカゴにあるモリス病院でシステムを担当するエリック・ウッドリッジさんは、新しく導入することになったGE製のMRIの設置途中に、「携帯電話が動かなくなった」という報告を病院職員から受けました。ウッドリッジさんはすぐに「MRIが何らかの電磁パルスを出しているのではないか？」ということが思い浮かび、病院内の他の機器への影響を考えて青ざめたとのこと。 しかし、調査した結果、故障したのはiPhoneやApple Watchなど
自動車の電源電圧を高精度化する方法(1) 従来型LDOの概念を理解する
はじめに この連載では、オン・セミコンダクターの車載環境でも動作可能な5V、50mAの低ドロップアウト電圧レギュレータ(LDO)について説明します。このLDOは自身のレギュレーション・ループで分数次数制御を使用して、(厳密なDCレギュレーションのために)高いDCゲインを達成すると同時に、(良好な安定性のために)高周波での高ゲインを防止します。補償ゼロは必要ありません。また、レギュレーション・ループのユニティ・ゲイン周波数により、出力電流に応じてアダプティブに変化し、非支配極よりも低い周波数に維持することが可能です。 まず最初に、従来型LDOの概念、DCレギュレーション誤差とレギュレーション・ループ安定性間のトレードオフ、および分数次数制御方式でこれらの課題を解決する方法を示したいと思います。 低ドロップアウト電圧レギュレータ(LDO)は、電源(入力)電圧が出力電圧に非常に近い場合でも、ほぼ
わずか0.1mm単位の攻防が生んだiPhone X
わずか0.1mm単位の攻防が生んだiPhone X：この10年で起こったこと、次の10年で起こること（20）（2/3 ページ）
メモリのビット反転エラーとセキュリティの話｜Rui Ueyama
ハードウェアのエラーでメモリの内容が化けてしまうことが稀にある。大抵のDRAMエラーはせいぜいプログラムがクラッシュする結果になるだけだが、データ破壊になることもありえるし、悪意のある使い方をすればセキュリティ破りに使うこともできてしまう。ここではメモリエラーとセキュリティの話をしようと思う。 メモリのエラー率は意外なほど高い。データセンターで大規模なマシン群を対象に実際に観測したところ、1年間に1回以上のエラーが発生したDIMMモジュールは全体の8%にのぼったそうだ。DIMM 1枚に数百億個のメモリセルが実装されているといっても、このエラー率はちょっとびっくりするくらい大きな数字ではないだろうか？ サーバでは普通はエラー訂正付きのDIMMを使うので1ビットのエラーは問題にならないが、エラー訂正のないコンシューマ機器ではこれは実際的な問題になりえる。 メモリエラーを利用したセキュリティ破り
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
NTT、宇宙線による半導体ソフトエラー発生率の全貌解明。中性子による誤動作が対策可能に
【福田昭のセミコン業界最前線】 「酸化ガリウム」からはじまる日本の半導体産業“大復活”
【福田昭のセミコン業界最前線】 パワーデバイスで健闘する日本の半導体企業
最先端プロセッサー、勝負どころはオンチップ電源
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 海外で急激に盛り上がる新CPU命令アーキテクチャ「RISC-V」
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 元TransmetaのDitzel氏が新会社で4,000コア以上のRISC-V CPUを発表
