後藤弘茂のWeekly海外ニュース: Intelがひたすらメモリ帯域の拡大にこだわる理由
●どんどん上がるIntelのFSB&メモリ帯域 Pentium 4系CPUのFSB(フロントサイドバス)は、400MHz(3.2GB/sec)からスタートして約1年半で533MHz(4.3GB/sec)に、そして来年には667MHz(5.3GB/sec)に上がる。さらに、将来はおそらく800MHz FSB(6.4GB/sec)もやってくる。それに合わせてIntelはメモリ帯域も引き上げる。デュアルチャネルPC800(3.2GB/sec)からデュアルチャネルPC1066またはデュアルチャネルDDR266(4.3GB/sec)、そしてデュアルチャネルDDR333(5.3GB/sec)へと。なぜIntelはここまでメモリとFSBの帯域にこだわるのか。 面白いのは、ライバルのAMDはメモリ(&FSB)帯域よりメモリレイテンシを重視していることだ。例えば、次世代デスクトップAthlon(ClawHa
【レポート】進化する不揮発性メモリ - MRAM、FeRAM、OUMの解説(2) | ネット | マイコミジャーナル
○FeRAM(Ferroelectric RAM) (図3)FeRAMのセル FeRAMはDRAMの延長線に存在するメモリアーキテクチャで、DRAMセルにおいて電荷を保持している誘電体キャパシタを強誘電体とすることで不揮発性を強化している。強誘電体材料としてはPZT(ジルコン酸チタン酸鉛)などのペロブスカイト化合物や、SBZ(チタン酸バリウム・ストロンチウム)などの層状ペロブスカイト化合物が用いられている。 FeRAMのセルとしては現状、図3に示す3タイプのものがある。2T2C(2トランジスタ2キャパシタ)セルはすでに実用化されているもので、一方のキャパシタに例えば"1"というデータを記憶させた場合、もう一方のキャパシタには逆の"0"を記憶させ、読み出す場合にはBLと/BLの2つの電圧差をセンスアンプで判断し、例えば電圧差がプラスであれば"1"、マイナスであれば"0"といったように出力する
【レポート】進化する不揮発性メモリ - MRAM、FeRAM、OUMの解説(1) | ネット | マイコミジャーナル
読み書き可能なメモリとして現状、最も標準的に利用されているのがSRAM、DRAM、フラッシュメモリである。以前掲載した「【レポート】メモリ技術解説( http://pcweb.mycom.co.jp/news/2002/09/05/09.html )」でも述べたように、SRAMは高集積化が困難なため大容量メモリとしては不向きであるが、その高速性を活かしてキャッシュメモリなどに用いられており、またそれとは逆にDRAMはリフレッシュ動作が必要なためアクセス速度は低速なものの、大容量という特性を活かしてパソコンのメインメモリなどに採用されている。またフラッシュメモリはハードディスクと同様に、不揮発性(電気的な記憶の保持が不要)という特性を活かし、比較的小容量のデータの保存に用いられている。 こういったメモリの棲み分けはパソコンだけが情報機器の主役の座に位置している時代であればよかったのだろうが、
ブリヂストン、カラー粉流体でフレキシブルディスプレイ
ブリヂストンは5月31日、カラー粒子を使ったフレキシブルディスプレイを開発したと発表した。電子ブック端末やポスターなどへの応用を目指す。 同社が2002年3月、電子ディスプレイの表示材料として「電子粉流体」を発表し、2004年10月には新材料を使ったディスプレイも開発し、電子ディスプレイ事業に参入した。 今回、従来のガラス基板をプラスチックに変えてフレキシブル化し、2色カラー表示にも対応した。サイズは9インチ、厚さ0.29ミリと、「反射型単純マトリックス電子ペーパーとしては世界最大級で最も薄い」としている。
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