半導体メモリー:記録密度１０倍に 北大チームが開発－ 毎日ｊｐ(毎日新聞)

[fukumimi2002]

ニッケルや金などの金属を、厚さ５〜２０nmの薄膜に加工。その膜の厚みをメモリー線として使い、書き込みに必要な電流の制御に成功。この技術では発熱の原因となる電気抵抗も１０００分の１以下に抑えられた。