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非力な人のためのパワー半導体入門 パワーMOSFETのスイッチング速度(1)
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非力な人のためのパワー半導体入門 パワーMOSFETのスイッチング速度(1)
カテゴリごとに表示すると、古い記事から新しい記事へ、順を追って閲覧できます。図・数式をクリックす... カテゴリごとに表示すると、古い記事から新しい記事へ、順を追って閲覧できます。図・数式をクリックすると拡大表示されます。 パワーMOSFETは、 IGBTやGTOサイリスタなどバイポーラ系のスイッチに比べれば、 スイッチング速度は速い。 そのため、ここに描いたようなスイッチング波形をとってみると、 電流の立ち下がり、立ち上がりが速く、 ターンオフ損失やターンオン損失となるワッテージの山の幅が狭くなり、 結果的にジュール損失(ワッテージの山の面積)も少ない。 しかし、パワーMOSFETどうしを比べると、 やはりスイッチング速度が速いMOSと、やや遅いMOSが存在する。 この要因を決めるのは、ゲート容量であると言われている。 回路技術者が気にする、パワーMOSFETの容量は 主に以下の3種類である。 入力容量: Ciss = CGS + CGD (ゲート-ソース間容量と、ゲート-ドレイン間容量