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「半導体微細化、技術的には7nmも可能」、TSMCの開発責任者がARMイベントで言及
半導体ファウンダリ最大手のTSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)で研究開発担当シニア... 半導体ファウンダリ最大手のTSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)で研究開発担当シニアバイスプレジデントを務めるShang-Yi Chiang氏(図1)によれば、「半導体製造技術の微細化は、間違いなく今後も進んでいく。FinFET(立体構造トランジスタ)を利用すれば、7nmノードまで微細化されるだろう」という。 Chiang氏は2011年10月25日、米国カリフォルニア州サンタクララで開催された「ARM TechCon 2011」の基調講演で「7nm以降の微細化で直面する最大の課題は、技術面ではなくコスト面にある」と語った。
2011/11/03 リンク