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GaNの「最小」ACアダプター、充電時間も1/3に
富士通研究所は2015年12月9日、窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)パワーデバイスを... 富士通研究所は2015年12月9日、窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)パワーデバイスを用いて、モバイル端末などの急速充電を可能にする12W出力の小型ACアダプターを開発したと発表した。 スイッチングのタイミングを正確に制御する回路を新たに導入し、損失電流の発生を抑制。本体容積15.6cc、電力効率87%を実現した。同社によると、「12W出力のACアダプターでは、世界最小、世界最高電力効率」という。モバイル端末充電時のACアダプターの消費電力を50%削減でき、「従来の1/3の時間」(富士通研究所)で充電を可能にするとしている。 ACアダプターを高効率/小型化/高出力化するためには、スイッチ素子のオン、オフの動作回数を増やしたスイッチングが求められる。スイッチ素子として、オン、オフを決める閾値(しきいち)電圧が小さく、メガヘルツ駆動が可能なGaN-HEMTが適している。
2015/12/10 リンク