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SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの概要
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SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの概要
ストレージ・クラス・メモリ(SCM)の具体的な位置付け 半導体メモリの研究開発に関する国際学会「国際... ストレージ・クラス・メモリ(SCM)の具体的な位置付け 半導体メモリの研究開発に関する国際学会「国際メモリワークショップ(IMW:International Memory Workshop)」のショートコース(2016年5月15日)から、SanDiskによる抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向に関する講演概要をご紹介している。今回はシリーズの3回目に相当する。 講演者はスタッフエンジニアのYangyin CHEN氏、講演タイトルは「ReRAM for SCM application」である。タイトルにあるSCMとはストレージ・クラス・メモリ(storage class memory)の略称で、性能的に外部記憶装置(ストレージ)と主記憶(メインメモリ)の間に位置するメモリとされる。ここで性能とは、メインメモリよりもコスト(記憶容量当たりのコスト)が低く、ストレージよりも高速であることを