高融点金属の多層配線技術が2nm以降のCMOSを実現

高融点金属の多層配線技術が2nm以降のCMOSを実現：福田昭のデバイス通信（319） imecが語る3nm以降のCMOS技術（22） 前回から「次世代の多層配線（BEOL）技術」の講演内容を紹介している。今回は、銅（Cu）以外の配線技術を導入する際の候補となる高融点金属について解説する。 21nmピッチが銅配線の限界点と予測 半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国際学会「IEDM（International Electron Devices Meeting）」は、「チュートリアル（Tutorials）」と呼ぶ技術講座を本会議（技術講演会）とは別に、プレイベントとして開催してきた。2020年12月に開催されたIEDM（Covid-19の世界的な流行によってバーチャルイベントとして開催）、通称「IEDM2020」では、合計で6本のチュートリアル講演が実施された。その中で「Inn