電力変換効率20％超のGaN面発光レーザーを開発

名城大学と産業技術総合研究所は、発振波長420nmのGaN（窒化ガリウム）面発光レーザーにおいて、膜厚制御の精度を従来に比べ約一桁高めることにより、20％を超える電力変換効率（WPE）を実現した。 「GaInN下地層による発光特性改善」や「発光径5μmの素子採用」も 名城大学理工学部材料機能工学科の竹内哲也教授と上山智教授、岩谷素顕教授および、産業技術総合研究所先端半導体研究センターの亀井利浩研究主幹らによる研究グループは2024年4月、発振波長420nmのGaN（窒化ガリウム）面発光レーザーにおいて、膜厚制御の精度を従来に比べ約一桁高めることにより、20％を超える電力変換効率（WPE）を実現したと発表した。 名城大学は、2015年にGaN面発光レーザーの室温連続動作に成功。2017年には電力変換効率5％を実現してきた。ところが、これまでの製造プロセスでは膜厚の制御が十分ではなく、効率を大