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東北大学電気通信研究所（東北大通研）は2011年11月8日に，吹留博一助教らが，シリコン（Si）基板の面方位を選択することにより，Si基板上に成長させたグラフェン（Graphene on Si, GOS）に金属性，或いは半導体性を任意に持たせるという多機能化に成功し，GOSを用いたトランジスタの集積化も可能であることを示したとのプレスリリースを行った．本研究は，科学技術振興機構（JST）戦略的創造研究推進事業（CREST）の一環として日本原子力総合研究機構，高輝度光科学研究センターとの共同で行われ，日本の応用物理学会刊行Applied Physics Expressに掲載された（注）． 炭素の二次元層状物質であるグラフェンは，Siの100倍以上のキャリア移動度を有し，熱的・化学的にも安定な物質である．しかし，移動度が高いだけでは従来のSiに代る電子デバイスにはなり得ない．GOSはSi基板上