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半導体3D実装を開拓、東京エレクトロンが「レーザー剥離装置」投入へ ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
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半導体3D実装を開拓、東京エレクトロンが「レーザー剥離装置」投入へ ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
東京エレクトロンは半導体を垂直方向に集積する3次元(3D)実装向けに、接合した2枚のシリコンウエ... 東京エレクトロンは半導体を垂直方向に集積する3次元(3D)実装向けに、接合した2枚のシリコンウエハーに対し、上部のウエハーと集積回路をレーザーで剥離する技術を確立した。2024年にもレーザーによる剥離装置を市場投入する。半導体デバイスでは回路の微細化と同時に、3D実装の実用化が進む。従来工程では研削加工が必要だったが、レーザーによる剥離技術を採用することで歩留まりを高める。 3D実装は、それぞれ別のプロセスで作った半導体を貼り合わせて半導体デバイスとして実装する。すでに相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーや3DNAND型フラッシュメモリーなど一部の半導体デバイスで実用化が進む。 実装する際、貼り合わせた上部のシリコンウエハーを研削して除去する必要がある。一方、半導体デバイスの高積層化が進むにつれ、研削加工の後に薄膜が剥がれるなど、歩留まりを低下させる懸念があった。 東京エレク