エントリーの編集
エントリーの編集は全ユーザーに共通の機能です。
必ずガイドラインを一読の上ご利用ください。
記事へのコメント1件
- 注目コメント
- 新着コメント
注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています
- バナー広告なし
- ミュート機能あり
- ダークモード搭載
関連記事
FD-SOIがついに大規模量産で日の目を見るのか? STの戦略を読み解く
18nmのFD-SOI(完全空乏型シリコンオンインシュレーター)プロセスを利用して、次世代STM32 MCUを生産す... 18nmのFD-SOI(完全空乏型シリコンオンインシュレーター)プロセスを利用して、次世代STM32 MCUを生産する ことし(2024年)後半に特定顧客向けのサンプル出荷を開始、本格量産は2025年後半を予定 この18nm FD-SOIプロセスではメモリとしてePCMを利用する。このプロセスは同社とSamsung Foundryが共同で開発した 10年以上の実績がある「FD-SOI」プロセス 興味深いのは、ここで18nm FD-SOIを採用したということだ。STはFablessではなくFab Lite戦略を取っており、現状前工程と後工程のFabが7カ所ずつ存在している。拠点は9カ国に分散しているが、一番多いのがフランスで、Tours、Rousset、Crollesの3カ所にある。この中で最大のものがCrollesで、ここのクリーンルーム面積は3万m2、次いでRoussetの2万7000m
2024/04/18 リンク