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NAND型フラッシュメモリの次を見据えるメーカーの思惑
NANDフラッシュメモリは、企業向けソリッドステートストレージとして2010年代末まで広く利用される可能... NANDフラッシュメモリは、企業向けソリッドステートストレージとして2010年代末まで広く利用される可能性があるが、その後継となる可能性を秘めた技術が注目を集め始めている。相変化メモリ(PCM)や磁気メモリ(MRAM)、抵抗変化型メモリ(RRAM)などだ。 過去2年間にこれらの新技術にブレークスルーが起き、性能と耐久性の両面で今後の飛躍が期待される(関連記事:なぜ企業向けストレージシステムでフラッシュドライブが注目されるのか)。 例えば、米IBM Researchは2011年夏、「加熱型PCMを利用すれば、NAND型フラッシュメモリよりも100倍高速にデータを読み出し、1000万回以上の書き込みに耐えるシステムを実現できる可能性がある」と発表して注目を集めた。1000万回というのは、エンタープライズマルチレベルセル(eMLC)フラッシュメモリの書き込み回数3万回と比べると飛躍的な数字だ。
2012/01/11 リンク