SK hynixの300層3D NANDがSSDの性能向上とコスト低減を実現する | TEXAL

SK hynixは、ISSCC 2023カンファレンスで、記録的な194GBpsの速度でデータを取り込む300層以上の3D NAND技術を開発したことを明らかにした。 同社では、5つの新しい技術を300層以上の1Tb 3b/cell（TLC）3D-NANDフラッシュメモリ製品に適用したとしている。 トリプルベリファイプログラム（TPGM）技術により、プログラム性能を向上させた。適応型非選択ストリングプリチャージ（AUSP）技術により、ディスターブとプログラム時間（tPROG）を短縮している。プログラムされたダミーストリング（PDS）技術により、WLセトリング時間が短縮される。オールパスライズ（APR）技術により、読み出し時間（tR）を短縮している。消去時にプレーンレベルリードリトライ（PLRR）技術を使用し、QoSを向上させる。TPGM方式は、セルのしきい値電圧（VTH）分布を狭くすること