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産総研:世界最小の電気抵抗値の大電力用炭化ケイ素(SiC)半導体素子を開発
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産総研:世界最小の電気抵抗値の大電力用炭化ケイ素(SiC)半導体素子を開発
炭化ケイ素(SiC)結晶のカーボン面上に大電力用半導体素子(IEMOS)を形成して動作時の電気抵抗値1.8mΩ... 炭化ケイ素(SiC)結晶のカーボン面上に大電力用半導体素子(IEMOS)を形成して動作時の電気抵抗値1.8mΩcm2を達成 シリコンパワー素子と比較して動作時の電力損失は10分の1以下 IHヒーター、エアコン、パソコンサーバー等の家庭用電化機器の省エネルギー化が促進 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】(以下「産総研」という)パワーエレクトロニクス研究センター【センター長 荒井 和雄】は、炭化ケイ素(SiC)半導体のカーボン面にIEMOS(Implantation and Epitaxial MOSFET)と呼ばれる素子を形成する技術を開発した。 SiCは大電力を制御できるので次世代の省エネルギーパワー素子として期待されている。産総研は以前IEMOSの開発に成功し当時世界最小の電気抵抗4.3 mΩcm2を実現していたが、今回SiC結晶のカーボン面にIEMOSを形成すること