産総研：ダイヤモンド電子放出デバイスの高性能化の鍵を理論的に解明

高性能電子デバイスとしてのダイヤモンドの電界放出の基本原理を解明 これまで考えられていた電子親和性の効果だけでなく表面付近の電子のポテンシャル変調が大きく影響 電子放出デバイスに最適な表面修飾を第一原理計算で求めることができ、理想的なデバイス材料の提案が可能 独立行政法人産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)ナノシステム研究部門【研究部門長 山口 智彦】ナノ炭素材料シミュレーショングループ 宮本 良之 研究グループ長、非平衡材料シミュレーショングループ 宮崎 剛英 研究グループ長、エネルギー技術研究部門【研究部門長 角口 勝彦】山崎 聡 総括研究主幹、電力エネルギー基盤グループ 竹内 大輔 上級主任研究員らは、第一原理計算による電子ダイナミクスのシミュレーションにより、化学修飾されたダイヤモンド表面における電子の電界放出特性の違いを調べ、従来から電界放出の高効率化