産総研：不揮発性磁気メモリのための新たな電圧駆動書き込み方式を開発

発表・掲載日：2016/12/05 不揮発性磁気メモリのための新たな電圧駆動書き込み方式を開発 －超低消費電力・高速メモリ「電圧トルクMRAM」の実現に道筋－ ポイント 不揮発性磁気メモリ(MRAM)の新しい電圧駆動書き込み方式を考案 電圧書き込みのエラー率を低減するための新型回路を開発 大容量のラストレベルキャッシュへの電圧トルクMRAM適用に道筋 内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）［プログラム・マネージャー：佐橋政司］の一環として、株式会社東芝 研究開発センター【所長 堀 修】の藤田 忍 研究主幹、国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】の野崎 隆行 研究チーム長らの研究開発チームは、電圧駆動型の不揮発性磁気メモリ「電圧トルクM