不揮発性メモリ素子が壊れる瞬間を可視化 ―電子デバイスの新たな非破壊顕微解析手法を開発― | 物性研究所

発表のポイント 大規模集積化が可能なメモリ素子の新材料HfO2系強誘電体を用いたキャパシタが100万回以上のデータ書き換えによって絶縁破壊する様子を電極越しに可視化することに成功した。 レーザー励起光電子顕微鏡によって、絶縁破壊後の電気伝導パスだけでなく絶縁破壊直前のリーク電流の増加領域の可視化に初めて成功し、キャパシタ内の広い範囲で抵抗が変化していることを解明した。 三次元化が進む半導体デバイスの新たな非破壊顕微分析手法として、学術界・産業界ともに広く利用されることが期待される。 発表概要 東京大学物性研究所の藤原弘和特任研究員、同大学大学院新領域創成科学研究科のバレイユ・セドリック特任研究員（研究当時）、谷内敏之特任准教授、同大学の辛埴特別教授らの研究グループは、東京大学生産技術研究所の糸矢祐喜大学院生（工学系研究科博士課程）、同大学大学院工学系研究科附属システムデザイン研究センターの