「IGZO系酸化物半導体TFT」の研究・開発・事業化を検討されている企業の皆様、ならびに「IGZO商標」に関心のある皆様へ

「IGZO系酸化物半導体TFT」のオリジナリティは、JSTの創造科学技術推進事業（ERATO）の「細野透明電子活性プロジェクト」でリーダーを務めた東京工業大学の細野秀雄 教授らにあることが、技術的かつ学術的に認められています。 JSTが現在「IGZO系酸化物半導体TFT」のライセンスを進めている特許群には、TFTにおける活性層が、単結晶、多結晶、微結晶、アモルファスのいずれの薄膜の特許、および周辺特許等がパッケージ化されています。そして当該特許群はJSTが一括し、企業等に対してライセンスしています。 JST産学連携・技術移転事業では、大学や公的研究機関等の基礎研究の成果（シーズ）の特許化や知的財産の活用促進を進めています。その一環として、現在、東京工業大学の細野秀雄 教授らが発明した「IGZO系酸化物半導体TFT（In-Ga-Zn-Oを中心とする酸化物半導体を活性層とする薄膜トランジスタ）

[tukanana]

これか＞IGZO。

[shrk]

(平成２５年５月１５日)