磁石の中で微弱電流と微弱磁界の作用は本質的に異なることを発見（大容量・低電力消費の磁気記憶素子開発に光）

平成１９年９月２１日 科学技術振興機構(JST) 電話(03)5214-8404(広報・ポータル部広報課) 国立大学法人 東北大学 電話(022)217-5422（電気通信研究所総務課研究協力係） ＪＳＴ(理事長 沖村憲樹)と東北大学（総長 井上明久）は、強磁性半導体注1)(Ga,Mn)As［ヒ化ガリウムマンガン］を用いて、磁壁注2)が非常にゆっくり移動する現象であるクリープ運動注3)の様子を詳しく調べました。その結果、磁石に電流を流した時と磁界を加えた時とでは、磁壁のクリープ運動が本質的に異なっていることを発見しました。 磁石に外から磁界を加えると、磁石の中にある磁壁を移動させることができます。このことを利用したメモリーなどの種々のデバイスの考案が従来から検討されてきました。近年、磁界の他に電流を流すことによっても磁壁を動かせることが実験的に示されました。 本研究チームはこれまでに、強磁