共同発表：次世代パワーデバイスの理想性能に近づく絶縁膜材料作製手法を開発～ＳｉＣと絶縁膜の界面欠陥解消による性能向上へ～

ポイント パワーデバイスによる大幅な省エネは、材料由来の欠陥によって足踏みしている。 原因は材料生成時の熱処理における炭素残留であり、残留させない反応条件を見いだした。 結果、材料欠陥が世界最小値まで減少し、理想的な材料性能を発揮できることを確認。 この技術により、ＳｉＣパワーデバイスの高性能化と普及の促進が期待できる。 ＪＳＴ 戦略的創造研究推進事業において、東京大学 大学院工学系研究科の喜多 浩之 准教授らは次世代のパワーデバイス注１）材料として期待されるシリコンカーバイド（ＳｉＣ）注２）上に形成される絶縁膜材料との間の「界面欠陥注３）」を大幅に低減し、理想性能に近づける新しい改質手法を開発しました。 エネルギー利用の高効率化への期待が高まる中、その「切り札」の１つが次世代パワーデバイスであり、変圧器やインバータとして電力システム、電気自動車、工場設備をはじめとする多くの用途で電力損失

[dolmen777]

＜今後の展開＞もっとわかりやすく書いて欲しいな。「その結果、ＭＯＳ反転層チャネル中の電子移動度の向上によってＳｉＣパワートランジスターの抵抗損失の低減が期待できます。」わかりません..