ビスマス薄膜が半導体に変わることを実証―次世代高速デバイスの有力材料に浮上―

要点 高品質のビスマス薄膜を作成し、その電気的性質を測定 半金属であるビスマスが薄膜化によって半導体になる理論を実証 次世代の高速デバイス開発へ新たな道 概要 東京工業大学大学院理工学研究科の平原徹准教授は、東京大学の長谷川修司教授、自然科学研究機構分子科学研究所の田中清尚准教授、木村真一准教授（現大阪大学教授）、お茶の水女子大学の小林功佳教授らと共同で、半金属[用語1]のビスマスを薄膜にするとその電気的な性質を半導体に変えられることを実証した。 高品質のビスマス薄膜を作成して、分子科学研究所の放射光施設UVSORで偏光可変の角度分解光電子分光[用語2]測定を行い、ビスマス薄膜が半導体になっていることを確認した。さらに、理論では予想されていなかった表面や界面の電子が関係した新しい現象も発見した。これらの成果により、次世代高速電子デバイス開発に新たな道を拓くことが期待できる。 ビスマスは近年

[frothmouth]

“高品質のビスマス薄膜を作成し、その電気的性質を測定 半金属であるビスマスが薄膜化によって半導体になる理論を実証 次世代の高速デバイス開発へ新たな道”