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日本発の新メモリー「TRAM」、LEAPなどが動作原理を解明し低電力化
超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）と名古屋大学、産業技術総合研究所は、GeTe/Sb2Te3超格子を用いた... 超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）と名古屋大学、産業技術総合研究所は、GeTe/Sb2Te3超格子を用いた新しいタイプの相変化メモリー「TRAM（topological-switching RAM）」の超格子構造や抵抗変化機構を解明。構造を最適化し、低電力で動作させることに成功した。データセンターなどに向ける高速で低電力のストレージ（SSD）の実現につながる。「2014 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2014）」（2014年12月15～17日、米国サンフランシスコ）で詳細を発表する（講演番号29.2）。
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2014/12/16 リンク