三菱電機 ニュースリリース 「SiCパワー半導体モジュール」発売

三菱電機株式会社は、次世代パワー半導体材料のSiC※1を用いたSBD※2搭載の家電製品・産業機器・鉄道車両装置向けSiCパワー半導体モジュール3品種を5月9日に発売します。SiCを用いることで、インバーターを使用したパワーエレクトロニクス機器のさらなる高効率化や小型・軽量化に貢献します。 なお、家電用ハイブリッドSiC DIPPFCTM ※3及び鉄道車両用ハイブリットSiCモジュールは「PCIM※4 Europe 2013」（5月14～16日、於：ドイツ連邦共和国・ニュルンベルグ）に出展します。 ※1：Silicon Carbide：炭化ケイ素 ※2：Schottky Barrier Diode：半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード ※3：DIPPFC：力率改善回路を内蔵したトランスファモールドタイプのインテリジェントパワー半導体モジュール ※4：PCIM：Po