【レビュー】 ランダムアクセス性能が光るIntel製「Optane SSD 800P」
インテル、ついに不揮発性のメインメモリ「Intel persistent memory」発表、実稼働デモ公開。2018年に新型Xeon「Cascade Lake」とともに登場予定
Intel persistent memoryはデータの保持に電力を必要としない、不揮発性メモリの一種だ。データをメモリからストレージに保存する必要がなくなるなど、コンピュータのアーキテクチャを一変させる可能性を持つ。 現代のコンピュータは基本的にメインメモリとしてDRAMを利用しています。DRAMはアクセスが高速な一方、容量あたりの単価は高く、それゆえ大量にコンピュータに搭載することが難しく、またデータを保持し続けるのに電力を必要とします。 このDRAMの能力と性質を補完するため、一般に現代のコンピュータには二次記憶装置として大容量で安価かつ電力がなくてもデータを保持し続けられるハードディスクドライブなどのストレージを備えています。 こうした現代のコンピュータの構造を一変させようとインテルが5月16日に発表したのが、大容量かつ低価格、しかもデータの保持に電力を必要としない、同社とマイクロ
Intel、「Optane Memory」を4月24日にコンシューマに向けて出荷
先日データセンター向けのOptane SSD DC P4800Xを発表したIntelだが、本日コンシューマ向けとなるIntel Optane Memoryを発表したので、こちらの概要もご紹介したい。 まずはじめに確認しておきたいことは、今回の製品は「Optane SSD」ではなく「Optane Memory」ということである。ここが重要なポイントで、Intel自身この製品はSSDではない(というか、分類としてはSSDなのだが、SSDとして使うには問題がありすぎる)ことを良く理解しており、Optane "Memory"としてリリースすることにした模様だ。 その背景だが、SSDの普及があまり進んでいないことが挙げられる(Photo01)。ノートPCをはじめとしてコンシューマ向けPCでは、SSDの普及が進んでいるのだが、大量のデータを扱うようなケースでは、絶対的な容量としても容量/価格比としても
IEDMで発表されていた3D XPointの基本技術（前編）
米国で開催された「ISS（Industry Strategy Symposium）」において、IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ技術「3D XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。 3D XPointの要素技術が一部明らかに 謎に包まれていた次世代メモリ技術「3D XPoint（スリーディー・クロスポイント）」の要素技術が一部、明らかになった。3D XPointメモリは、IntelとMicron Technologyが共同開発し、両社が2015年7月29日（米国時間）に大々的に発表した次世代の不揮発性メモリである＊）。DRAMに比べて10倍も記憶密度が高く、NANDフ
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