IEDMで発表されていた3D XPointの基本技術（前編）

米国で開催された「ISS（Industry Strategy Symposium）」において、IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ技術「3D XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。 3D XPointの要素技術が一部明らかに 謎に包まれていた次世代メモリ技術「3D XPoint（スリーディー・クロスポイント）」の要素技術が一部、明らかになった。3D XPointメモリは、IntelとMicron Technologyが共同開発し、両社が2015年7月29日（米国時間）に大々的に発表した次世代の不揮発性メモリである＊）。DRAMに比べて10倍も記憶密度が高く、NANDフ

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3D XPointメモリは、相変化メモリの一種だと見なせる。セル選択素子が「オボニック・スイッチ」。