IBMがSRAM/DRAM不良の事例を公表会期：3月26日～30日(現地時間) 会場：米San Jose McEnery Convention Center IRPS(International Reliability Physics Symposium)現地レポートの続きである。中日である3月29日(現地時間)には興味深い発表が多かった。ここでは前回のレポートで書ききれなかった講演を紹介しよう。 ●同じボードにSRAMを2個搭載、その後1個だけに不良が発生 半導体ユーザーである電子機器メーカーにとって、半導体デバイスの不良原因を突き止めることは手間のかかる作業である。不良解析では高い技術力を有するとされているIBMですら、例外ではない。今回のIRPSでは、IBMがSRAMとDRAMの不良を解析した事例を公表した(招待講演、講演番号3E.1)。 公表した事例では、不良の原因はいずれもホットキャリアだった。ホットキャリアとは、MOS
