読み書きできて、不揮発のメモリー FRAM と、その他のメモリとの特徴の比較、使い分けとかの備忘録。 FRAM (Ferroelectric random access memory)強誘電体メモリー ・不揮発 ・書き込み時間 150ns ・書き変え回数 10^10-15 ・書き込み時の電圧の昇圧 不要 ・消費電力 書き込み5mA スタンバイ5uA DRAM ・用途 集積度を高くできる。PCのメインのメモリやバッファメモリとして使われる。 ・揮発 ・書き込み時間 70ns ・書き変え回数 無限 ・書き込み時の電圧の昇圧 不要 ・消費電力 書き込み40mA スタンバイ1mA SRAM (static random access memory) ・用途 記憶素子がフリップフロップで回路が大きい、ビットあたりの単価が高く大容量化しにくい。高速動作が必要なキャッシュメモリに使われる。 ・揮発 ・書