IGZOを超える「有機半導体」、分子設計からトランジスタまで日本発の新技術

IGZOを超える「有機半導体」、分子設計からトランジスタまで日本発の新技術：移動度10cm2/Vsを実現（1/5 ページ） シリコンでは実現できない新しい機能性有機材料を東京工業大学の半那純一教授、飯野裕明准教授のグループが開発した。大きく3つの成果があるという。低分子系有機トランジスタ材料で耐熱性と成膜性を実現したこと、多結晶膜で高い移動度を得たこと、2分子層構造を利用して高移動度が実現できたことだ。 「20年前に開始した研究が実った。機能性有機半導体に利用できるシリコンでは代替できない材料を開発し、移動度の高い有機トランジスタの試作に至った。液晶の特定の性質を自在に引き出すことができる分子設計手法を確立し、容易に均一で平たんな成膜ができるようになった。製造プロセスに必要な耐熱性も備えた材料だ」（東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設教授の半那純一氏、図1）＊1）。 ＊1） 科学