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革新的な磁気メモリ材料の発見か
東京大学物性研究所の中辻知准教授らの研究グループは2015年10月29日、反強磁性体において異常ホール効... 東京大学物性研究所の中辻知准教授らの研究グループは2015年10月29日、反強磁性体において異常ホール効果を「世界で初めて観測した」と発表した。同研究グループは高密度/高速な不揮発性メモリ素子の実現につながる発見としている。 マンガンとスズの化合物「Mn3Sn」 東京大学物性研究所の中辻知准教授らの研究グループは2015年10月29日、反強磁性体において異常ホール効果を「世界で初めて観測した」と発表した。マンガンとスズの化合物「Mn3Sn」の反強磁性体で、室温以上の温度で、巨大異常ホール効果を見いだしたという。同研究グループは「これまでの磁気メモリ開発の常識を覆す革新的な成果」とし、高密度/高速な不揮発性メモリ素子の実現に期待を寄せる。 次世代不揮発メモリの1つである磁気メモリは、強磁性体を使用するのが一般的だ。しかし、強磁性体は、磁石同様にスピンの向きがそろった材料であり、磁気的な干渉の