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究極の低電圧・低消費を目指すスティープスロープFET
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究極の低電圧・低消費を目指すスティープスロープFET
トンネルFETと負性容量FETがスティープスロープの候補 2015年12月に開催予定の国際学会「IEDM 2015」か... トンネルFETと負性容量FETがスティープスロープの候補 2015年12月に開催予定の国際学会「IEDM 2015」から、カンファレンス2日目である12月8日(火)の午後に予定されている技術講演と、同日の夜に予定されているパネル討論を解説する。8日午後の時間帯では、セッション16からセッション22までの7本のセッションが並行に進む。前回に続いて残りのセッション、すなわちセッション22(ナノデバイス技術)の講演をご紹介しよう。 セッション22(ナノデバイス技術)のサブテーマは、「スティープスロープ・トランジスタ」である。 スティープスロープ・トランジスタは、FETがオフからオンに切り換わる手前の領域(サブスレッショルド領域)で、ゲート電圧の微小な増加に対してドレイン電流を急峻に立ち上がらせることで、低い電源電圧での動作を可能にする。従来構造のFETでは、サブスレッショルド領域における電流の立