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新デバイス構造でSiC MOSFETの信頼性を向上
東芝デバイス&ストレージは、SiC MOSFETの内部にSBDを搭載する新たなデバイス構造を開発した。従来技術... 東芝デバイス&ストレージは、SiC MOSFETの内部にSBDを搭載する新たなデバイス構造を開発した。従来技術に比べて、オン抵抗の上昇を抑えつつSiC MOSFETの信頼性を10倍以上も高めることが可能だという。 PNダイオードとSBDを並列に配置 東芝デバイス&ストレージは2020年7月、SiC(炭化ケイ素) MOSFETの内部にSBD(ショットキーバリアダイオード)を搭載する新たなデバイス構造を開発したと発表した。従来技術に比べて、オン抵抗の上昇を抑えつつSiC MOSFETの信頼性を10倍以上も高めることが可能だという。 SiC MOSFETは、シリコンベースのパワーデバイスに比べ高耐圧で低損失といった特長を持ち、鉄道向けインバーターシステムなどで搭載が進む。太陽光発電や電源制御などの用途でも需要拡大が期待されている。ただ、SiC MOSFETのドレイン‐ソース間にあるPNダイオード