新型コロナウイルスに関する情報は、厚生労働省の情報発信サイトを参考にしてください。情報を見る
エントリーの編集
エントリーの編集は全ユーザーに共通の機能です。
必ずガイドラインを一読の上ご利用ください。
高アスペクト比、バリアレス、エアギャップが2nm以降の配線要素技術
記事へのコメント0件
- 注目コメント
- 新着コメント
このエントリーにコメントしてみましょう。
注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています
- バナー広告なし
- ミュート機能あり
- ダークモード搭載
関連記事
高アスペクト比、バリアレス、エアギャップが2nm以降の配線要素技術
高アスペクト比、バリアレス、エアギャップが2nm以降の配線要素技術:福田昭のデバイス通信(320) imec... 高アスペクト比、バリアレス、エアギャップが2nm以降の配線要素技術:福田昭のデバイス通信(320) imecが語る3nm以降のCMOS技術(23)(1/2 ページ) 銅配線の次はルテニウム配線が最有力候補 半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国際学会「IEDM(International Electron Devices Meeting)」は、「チュートリアル(Tutorials)」と呼ぶ技術講座を本会議(技術講演会)とは別に、プレイベントとして開催してきた。2020年12月に開催されたIEDM(Covid-19の世界的な流行によってバーチャルイベントとして開催)、通称「IEDM2020」では、合計で6本のチュートリアル講演が実施された。その中で「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and