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4DS Memoryが切り開くReRAMの競争 勝敗を分ける要素とは
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オーストラリアに拠点を置く4DS Memory(以下、4DS)は、これまでの沈黙を破り、同社の抵抗変化メモリ(... オーストラリアに拠点を置く4DS Memory(以下、4DS)は、これまでの沈黙を破り、同社の抵抗変化メモリ(ReRAM)技術に関するロードマップを明らかにした。 同社によると、PCMO(Praseodymium、Calcium、Manganese、Oxygen)をベースとしたインタフェーススイッチング機能は、他のフィラメント型ReRAM技術と比べて大きなメリットを提供し、AI(人工知能)やビッグデータ、ニューラルネットワークアプリケーション向けに適した高帯域幅/高耐久性の永続メモリを実現するという。 4DSのCSO(最高戦略責任者)であるPeter Hime氏は、米EE Timesとのブリーフィングで、「4DSのReRAMは、永続ウィンドウ内でのリフレッシュが不要で、DRAMの動作ウィンドウ内でリフレッシュすることができる。このため、少ないエネルギーで高帯域幅/高耐久性を実現することが可