産総研：抵抗変化メモリーの挙動を電流ノイズから解明

超低消費電力動作と従来動作を同一構造の素子で選択できる抵抗変化メモリー(ReRAM)を開発 微小電流ノイズを精密に計測することで、超低消費電力で動作する際の挙動を解明 環境発電や人工知能デバイスなどへの、不揮発性メモリーの用途拡大に期待 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門 3D集積システム研究グループ 馮 ウェイ 研究員、エマージングデバイス研究グループ 島 久 主任研究員らは、国立大学法人 筑波大学【学長 永田 恭介】数理物質系物理工学域 大毛利 健治 准教授と共同で、幅広い電流レンジでノイズを計測する手法を開発し、不揮発性メモリーとして研究開発が進められている抵抗変化メモリー（ReRAM）が100ナノアンペア（nA）という超低消費電力で動作する際の挙動について明らかにした。 抵抗変化メモリーでは、酸化物層に含ま

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“ここで用いている脳型推論用のデバイスとは、低消費電力で深層学習を実行するシナプス・ニューロン模倣デバイスや回路のことを指している。広い意味で「人工知能」と同等と考えて良いが、より「脳型」であるデバイ