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ニュースリリース (2010-02-08):低電圧LSIを実現するSRAM回路技術の開発について | ニュース | 東芝
低電圧LSIを実現するSRAM回路技術の開発について 32nmで試作、0.7V動作の不良率1/10... 低電圧LSIを実現するSRAM回路技術の開発について 32nmで試作、0.7V動作の不良率1/10000 当社は、デジタル機器の消費電力削減に有効な低電圧LSIの実現につながる技術を開発しました。今回の技術は、低電圧化でネックとなるSRAMの動作不良を防ぐ回路技術で、SRAM内部の信号電位の最適制御により不良率を大幅に低減しながら、実用化の課題だった設計効率も改善しました。本成果については、米国で開催中の半導体国際学会ISSCCにおいて2月10日(現地時間)に発表します。 LSIの低電圧化は、消費電力削減の非常に有効な手段です注1が、微細化の進んだ先端LSIでは、チップ上のSRAMの誤動作が、電圧を下げる際のボトルネックとなっていました。これは、SRAMが通常のロジック回路より小さな素子で作られ、特性ばらつきの影響を受けやすいため注2で、その対策が低電圧化の鍵となります。 今回当社は、低電
2010/02/11 リンク