DUVレーザーで半導体基板に世界最小の穴あけ加工を実現 ―4法人で半導体後工程技術を開発― | 物性研究所

発表のポイント 次世代半導体基板加工技術として不可欠な、深紫外（DUV）レーザー加工機を用いた層間絶縁膜への直径3マイクロメートルの微細穴あけ加工を実現しました。 現在チップ実装基板の層間配線として用いられているのは、直径40マイクロメートル穴であり、一桁小さい微細穴あけ加工技術の実現は、半導体実装基板の高密度化へ貢献します。 半導体後工程におけるレーザー微細穴あけ加工技術の向上により、次世代チップレットの高機能化が期待されます。 概要 国立大学法人東京大学（総長 藤井 輝夫 以下、東京大学）、味の素ファインテクノ株式会社（代表取締役社長 真子 玄迅 以下、味の素ファインテクノ）、三菱電機株式会社（執行役社長 漆間 啓 以下、三菱電機）、スペクトロニクス株式会社（代表取締役社長 長岡 由木彦 以下、スペクトロニクス）はこのたび、次世代の半導体製造「後工程」（注1）に必要な、パッケージ基板（