![](https://cdn-ak-scissors.b.st-hatena.com/image/square/bd1cc69efd9bd1e66b08e87bdd53df34b75951c7/height=288;version=1;width=512/https%3A%2F%2Fimage.itmedia.co.jp%2Fnews%2Farticles%2F0906%2F25%2Fl_sk_fujitsu.jpg)
エントリーの編集
![loading...](https://b.st-hatena.com/bdefb8944296a0957e54cebcfefc25c4dcff9f5f/images/v4/public/common/loading@2x.gif)
エントリーの編集は全ユーザーに共通の機能です。
必ずガイドラインを一読の上ご利用ください。
記事へのコメント7件
- 注目コメント
- 新着コメント
注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています
![アプリのスクリーンショット](https://b.st-hatena.com/bdefb8944296a0957e54cebcfefc25c4dcff9f5f/images/v4/public/entry/app-screenshot.png)
- バナー広告なし
- ミュート機能あり
- ダークモード搭載
関連記事
ACアダプタを10分の1に小型化 富士通研、消費電力大幅削減につながる新トランジスタ
富士通研究所は6月24日、電子機器の低消費電力化につながる新トランジスタの開発に成功したと発表した。... 富士通研究所は6月24日、電子機器の低消費電力化につながる新トランジスタの開発に成功したと発表した。機器の電源装置で生じる電力損失を3分の1以下に低減でき、ノートPCなどのACアダプタなら10分の1程度に小型化できるという。2011年ごろをめどに電源装置への適用を目指す。 電源装置ではシリコン製トランジスタが多く使われているが、通電状態での電力損失(オン損失)と、通電-遮断状態を切り替える際の損失(スイッチング損失)が大きく、電源の電力損失のうち、トランジスタ関連が3分の1以上を占めているという。 オン損失の低減には高耐圧トランジスタが効果的。窒化ガリウムHEMTならオン損失をシリコントランジスタに比べて5分の1以下に低減でき、スイッチング損失は100分の1以下と大幅に抑えられる。 今回開発した窒化ガリウムHEMTは、独自の構造と新技術を導入することで、電源装置用途に適用できるオン電圧とオ
2010/03/24 リンク