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信越化学のQST基板上でGaNの剥離/接合技術を開発|プレスリリース|OKI
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信越化学のQST基板上でGaNの剥離/接合技術を開発|プレスリリース|OKI
OKIは、信越化学工業株式会社(東京都、代表取締役社長 斉藤 恭彦、以下信越化学)と共同で、信越化学... OKIは、信越化学工業株式会社(東京都、代表取締役社長 斉藤 恭彦、以下信越化学)と共同で、信越化学が独自改良したQST®基板(注1)からOKIのCFB®技術(注2)を用いてGaN(窒化ガリウム)機能層のみを剥離し、異種材料基板へ接合する技術の開発に成功しました。本技術によりGaNの縦型導電が可能となり、大電流を制御できる縦型GaNパワーデバイスの実現と普及に貢献します。今後両社は、GaNデバイスを製造するお客様とのパートナーリングにより、社会実装可能な縦型GaNパワーデバイスの開発を進めます。 GaNデバイスは、電圧1,800ボルト(V)以上の高耐圧が求められるパワーデバイス、Beyond 5G向けの高周波デバイス、および高輝度なマイクロLEDディスプレイなど、高デバイス特性と低消費電力を両立する次世代デバイスとして注目されています。特に縦型GaNパワーデバイスは、電気自動車の走行距離の