FeとCNT組み合わせた不揮発メモリー、1Tビット/インチ2のデータを10億年間保持(2009/05/31) 既存のSi(シリコン)ベースの記憶素子と比較して、高密度で記録できるほか、熱力学的安定性が高いため記録したデータを室温下で10億年以上も保持できるメモリー技術が開発された。 研究チームのリーダーである米University of Califonia, BerkeleyのAlex Zettl教授が米Nano Letters誌に投稿した論文「Nanoscale Reversible Mass Transport for Archival Memory」によると、記録密度は平方インチ当たり1Tビット以上に達する。既存のメモリー技術では同10G~100Gビットのデータを10~30年程度保持できるに過ぎない。 中空の多層カーボン・ナノチューブ(CNT)中に封入されたFe(鉄)からなる