アルマを作り上げた人々の執念、難プロジェクトは人を、企業を育てる
スーパー電波望遠鏡「アルマ(ALMA)」。南米チリ、アンデス山脈のアタカマ砂漠。海抜5000mの高地に設置された、全66台のパラボラアンテナで構成される世界最高の巨大電波望遠鏡である。 アルマ望遠鏡は人類が創り出した、宇宙を見る、知る、最大の眼だ。 2013年3月の開所式からやがて5年。 アルマは、期待以上の成果、宇宙の成り立ちを明かし続けてくれている。 それは、「私はどこから来たのか？」「私を作っている物質はどう生成されたのか？」、つまるところ「私とは何か？」という究極の問の答が続々と出ていることを意味する。
ストレージ・クラス・メモリー
コンピューターのストレージは、従来のHDDから高速・低電力なNANDフラッシュメモリーに置き換わりつつある。最近ではビッグデータのリアルタイム解析などの需要が高まっていることから、NANDフラッシュメモリーよりもさらに高速な新型メモリーを開発する動きが活発化している。こうしたメモリーは、「ストレージ・クラス・メモリー（SCM）」と呼ばれる。SCMは主にデータセンターのサーバー機やストレージ装置などで求められているが、スマートフォンやタブレット端末の高速・低電力化にも有効な技術である。 現在のコンピューターに使われているメモリーを高速な順に並べると、（1）CPUのレジスターやキャッシュメモリーに使われるSRAM、（2）メインメモリーとして用いられるDRAM、（3）ストレージに利用されるNANDフラッシュメモリーやHDDとなる。ここで、（2）のDRAMと（3）のNANDフラッシュメモリーのアク
レンズなしカメラ、新構造のCMOSセンサーで実現へ
米Rambus社は、デジタル・カメラ部の大幅な低コスト化と小型化に適した新構造のイメージ・センサーを開発中である。コストや寸法の大半を占めている光学レンズをなくす。
TSMCが300mmガラス・インターポーザを報告、60GHz帯のWiFiシステムへの応用を狙う
台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）は300mmウエハー・サイズの薄型ガラス・インターポーザについて「International Electron Devices Meeting（IEDM）2013」（2013年12月9～11日、米国ワシントンD.C.）で発表した（講演番号13.4）。タイトルは「300mm Size Ultra-thin Glass Interposer Technology and High-Q Embedded Helical Inductor (EHI) for Mobile Application」。 微細化が困難になっている現在、Siインターポーザ上に複数のチップを集積する2.5次元（2.5D）IC技術の重要性が高まっている。しかし、Siインターポーザは高価なため、現状では適用範囲がハイエンドの
名大など、カーボンナノチューブのみで集積回路を実現
名古屋大学(名大)は、カーボンナノチューブ(CNT)のみでトランジスタや配線を構成した「全カーボン集積回路」を実現したと発表した。 同成果は、同大の大野雄高 准教授らとフィンランドのアールト大学のエスコ・カウピネン教授らによるもの。詳細は、英国の科学雑誌「Nature Communications」に掲載された。 これまで研究グループは、CNTを用いた集積回路の研究として、透明なプラスチック上に高性能なCNT薄膜トランジスタや、それを用いた集積回路などを実現してきたほか、より高い柔軟性や伸縮性を実現することを目指して、配線材料や絶縁膜材料の探索なども行ってきた。 今回の研究では、電極・配線材料いもCNT薄膜を用い、また絶縁膜材料にアクリル樹脂を用いることで、柔軟で透明な全カーボン集積回路を実現したほか、全カーボン集積回路が立体形状に熱成型可能であることを確認したという。 具体的に実現された
「なぜReRAMの量産一番乗りを果たせたのか」、パナソニックの責任者に聞いた
パナソニックは2013年7月30日、ReRAM（抵抗変化型メモリ）を混載したマイコンを、業界に先駆けて2013年8月から量産すると発表した（関連記事）。ReRAMは、ストレージ・クラス・メモリ（SCM）やNANDフラッシュ・メモリ代替などをターゲットに、世界中の半導体メーカーが競って開発を進めている次世代メモリである。その量産化で、パナソニックが先陣を切ることができた理由は何か。同社 オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社でマイコンなどの半導体事業を統括する多那瀬寛氏（パナソニック オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社 セミコンダクター事業部 システムインテグレーション 総括）に聞いた。 ─韓国Samsung Electronics社など名だたる半導体メーカーが長年、ReRAMの開発を進めてきた。パナソニックが量産化で一番乗りを果たせた理由はどこにあるのか。 多那瀬氏 当
均一性のNECと一点突破の日立 手段と目的を履き違えていた半導体技術文化 | JBpress (ジェイビープレス)
1999年12月にNECと日立製作所のDRAM合弁会社エルピーダメモリ（当時はNEC日立メモリ）ができたときのことである（大変古い話で恐縮ですが）。私は、2000年2月にNEC相模原内のエルピーダ・プロセス開発センターに出向して、同様にNECから出向してきた技術者と一緒にDRAMのプロセス開発を行った。 そのとき、会社が違うと、仕事のやり方がかくも違うものなのかと驚いた。DRAMのプロセスフローは、500工程以上になるが、その各工程で使用する装置が違うとか、そのプロセスの毛色が違うとか、そういったことではない（もちろん、それも違うのではあるが）。プロセス開発の方針と言うか、哲学がまるで違うのである。 簡単に言えば（よく言えば）、NECは「均一性第一主義」であり、日立は「新技術優先主義」であった。悪く言えば、NECは「病的なまでの潔癖完璧主義」であり、日立は「新技術オタクの一点突破主義」であ
3次元LSIや新材料技術が相次ぐ「IITC」、基調講演はTSMCのウエハーレベル技術
LSI配線技術に関する国際会議「IEEE International Interconnect Technology Conference（IITC）2013」が2013年6月13～15日に京都リサーチパーク（京都市）で開催される（IITC公式サイト）。IITCは今回で16回目を迎え、日本で開催されるのは4年ぶり2回目となる。 IITCでは通常のLSI多層配線技術に加え、3次元LSIやメモリ、MEMS、有機デバイス向けの幅広い配線技術を対象としている。配線分野としては参加国、参加者、論文数のいずれも「世界最大規模」（IITC委員）であり、今年は200人以上が参加する見込みとする。なお、2012年の参加者数は232人だった。 基調講演では、台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）のR&D, Integrated Intercon
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