【福田昭のセミコン業界最前線】 3D NAND技術と3Dクロスポイント技術、安いのはどちら?
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの概要
ストレージ・クラス・メモリ（SCM）の具体的な位置付け 半導体メモリの研究開発に関する国際学会「国際メモリワークショップ（IMW:International Memory Workshop）」のショートコース（2016年5月15日）から、SanDiskによる抵抗変化メモリ（ReRAM）の研究開発動向に関する講演概要をご紹介している。今回はシリーズの3回目に相当する。 講演者はスタッフエンジニアのYangyin CHEN氏、講演タイトルは「ReRAM for SCM application」である。タイトルにあるSCMとはストレージ・クラス・メモリ（storage class memory）の略称で、性能的に外部記憶装置（ストレージ）と主記憶（メインメモリ）の間に位置するメモリとされる。ここで性能とは、メインメモリよりもコスト（記憶容量当たりのコスト）が低く、ストレージよりも高速であることを
MRAMは大容量化の正念場、NANDの死角狙うReRAM
不揮発性の新型メモリーはそれぞれ普及に向けた壁を乗り越えなければならない。開発メーカーが急増するSTT-MRAMは、DRAM代替を進めるには大容量化という最後の関門がある。ReRAMの最大の課題は市場の立ち上げ。NANDフラッシュメモリーとの直接対決を避ける戦略が成功のカギを握りそうだ。 STT-MRAMやReRAMといった新型不揮発性メモリーは、各種のコンピューターシステムを大きく変える潜在力を備えている。そのインパクトは大きく2つ。（1）電源を入れた瞬間に起動し、いつでも電源をオフにできる、（2）消費電力が大きく減るの2点である。 既にSSDには不揮発性のNANDフラッシュメモリーが用いられているが、ストレージだけが不揮発でも（1）の効果は薄く、（2）もHDDとの差を示せなかった注1、2）。新しい不揮発性メモリーは（1）と（2）を機器の大きな売り物にできる注3）。 注1）SSDを使うと
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【福田昭のセミコン業界最前線】 【IMW 2016】袋小路に追い込まれつつある次世代不揮発性メモリ
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