ケータイ電話用フラッシュメモリの不良をNokiaが解析会期：3月26日～30日(現地時間) 会場：米San Jose McEnery Convention Center 「国際信頼性物理シンポジウム(IRPS:International Reliability Physics Symposium)」から、現地レポートの続きをお届けする。今回は中日(なかび)である3月29日(現地時間)の発表から、注目を集めた技術講演を紹介しよう。 ●FPGAやSRAMキャッシュなどの論理が反転 FPGAやSRAMキャッシュなどに書き込んだデータの論理値が、反転してしまうことがある。この不良モードはソフトエラー、あるいはシングルイベントアップセットと呼ばれており、何の前触れもなく発生する一過性の不良である。半導体デバイスのフリップフロップやメモリセルなどが破壊されるわけではない。データを書き込み直すと正常に動作する。不良の発生が検知しにくい、厄介な不良モードであ
