ケータイ電話用フラッシュメモリの不良をNokiaが解析
会期：3月26日～30日(現地時間) 会場：米San Jose McEnery Convention Center 「国際信頼性物理シンポジウム(IRPS:International Reliability Physics Symposium)」から、現地レポートの続きをお届けする。今回は中日(なかび)である3月29日(現地時間)の発表から、注目を集めた技術講演を紹介しよう。 ●FPGAやSRAMキャッシュなどの論理が反転 FPGAやSRAMキャッシュなどに書き込んだデータの論理値が、反転してしまうことがある。この不良モードはソフトエラー、あるいはシングルイベントアップセットと呼ばれており、何の前触れもなく発生する一過性の不良である。半導体デバイスのフリップフロップやメモリセルなどが破壊されるわけではない。データを書き込み直すと正常に動作する。不良の発生が検知しにくい、厄介な不良モードであ
IBMがSRAM/DRAM不良の事例を公表
会期：3月26日～30日(現地時間) 会場：米San Jose McEnery Convention Center IRPS(International Reliability Physics Symposium)現地レポートの続きである。中日である3月29日(現地時間)には興味深い発表が多かった。ここでは前回のレポートで書ききれなかった講演を紹介しよう。 ●同じボードにSRAMを2個搭載、その後1個だけに不良が発生 半導体ユーザーである電子機器メーカーにとって、半導体デバイスの不良原因を突き止めることは手間のかかる作業である。不良解析では高い技術力を有するとされているIBMですら、例外ではない。今回のIRPSでは、IBMがSRAMとDRAMの不良を解析した事例を公表した(招待講演、講演番号3E.1)。 公表した事例では、不良の原因はいずれもホットキャリアだった。ホットキャリアとは、MOS
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
