IBM，100倍以上の高密度化が可能な新型メモリー「レーストラック・メモリー」を発表
米IBMは米国時間2008年4月10日，記憶密度を現行メモリーの100倍以上に高められるという新型メモリー「レーストラック・メモリー」（レース場メモリー）を発表した。少ない消費電力で高速動作が可能で，可動部品を使わないため耐衝撃性に優れ，高い安定性／信頼性を持つうえ，製造コストが低いという。 デジタル・データをナノサイズのワイヤー上の微細な磁気パターンで表現し，このパターンを動かすことでデータの読み書きを行う。磁気パターンの移動する様子がレース場を走る自動車と似ていることから，レーストラック・メモリーと名付けた。このワイヤーを高い密度で集積すると，メモリーLSIとして利用できる。 まだ基礎研究の段階にあるが，レーストラック・メモリーを開発したIBMフェローのStuart Parkin氏は，今後10年以内に実用化可能と見込む。「フラッシュ・メモリーの高速性／信頼性と，ハード・ディスク装置の大
IBMの不揮発性磁気メモリ開発、STT-RAMへと方針を転換:ニュース - CNET Japan
IBMが、MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）技術からTT-RAM（spin torque transfer RAM）技術に関心を移している。 IBMは、ハードディスク用磁気記録コンポーネントを得意とするTDKと提携して、STT-RAMの開発を進めている。STT-RAMでは、微細な磁石に一定方向の電子スピンをもつ電流を流し、記録層の磁化の方向を変える。磁化の方向（上下、または左右）に応じて抵抗値が変わることから、抵抗値の大小に「1」または「0」を割り当ててデータを保存することができる。 現在の計画では、IBMとTDKは65ナノメートルプロセスの試作品を4年以内に開発することになっている。 シリコンバレーの新興企業、Grandisも、STT-RAMの製品化を目指している。Grandisは現在、既存の施設で潜在顧客向けのサンプルを製造中で、20
なぜXDRやFlexIOがPS3に載ったか，Rambus社に経緯と現状を聞く
米Rambus，Inc.は，同社の高速メモリ・インタフェース「XDR」と高速システム・インタフェース「Flex IO」がソニー・コンピュータエンタテインメント（SCE）の家庭用ゲーム機「プレイステーション3」に搭載されていることを正式発表した。
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